在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。