最新试题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题