是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片内的一种方法。
在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。
当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。
最新试题
金属化中可选用的金属材料有（）。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
新的平坦化方法有哪几个？（）
常压的硅外延方法有（）。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）
CE定律发展面临的问题包括（）。
封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
掺杂后退火时间一般在（）。
