制作异质结双极性晶体管HBT、高电子迁移率晶体管HEMT、高性能的LED及LD。
是指不同质的几种半导体（GaAs与AlGaAs，Si与SiGe等）组成的层结构
由一些基本材料，如在Si，GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。
栅极、源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等
多晶硅是单质硅的一种形态、特性随结晶度与杂质原子而改变、应用广泛
SiO2、SiON、Si3N4
InP中电子与空穴的复合是直接进行的
MESFET、HEMT和HBT三种有源器件。
原料丰富、技术成熟、价格低
最新试题
常规芯片封装生产过程包括粘装和引线键合两个工序，而倒装芯片则合二为一。
去毛飞边工艺指的是将芯片多余部分进行有效的切除。
AUBM的形成可以采用（）方法。
下面关于PBGA器件的优缺点，说法错误的是（）。
以下不属于打码目的的是（）。
键合工艺失效，焊盘产生弹坑的原因有（）。
塑封料的机械性能包括的模量有（）。
凸点的制作技术有（）。
根据焊点的形状，引线键合有两种形式，分别是（）。
键合常用的劈刀形状，下列说法正确的是（）。
