干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

例举双大马士革金属化过程的10个步骤。

例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？

例举离子注入设备的5个主要子系统。

定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？

例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。