描述分立器件和集成电路的区别_考试资料网

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问答题描述分立器件和集成电路的区别

参考答案： ①分立器件：是由二极管、三极管等独立的元器件组成的，一般只能完成单一功能，体积庞大。
②集成电路：把由若干个晶...

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1.问答题解释说明自对准栅工艺流程，为什么当图形化尺寸小到0.18um时，使用钴硅化物取代钛硅化物？为什么当图形化尺寸小到65nm时，使用镍硅化物取代钴硅化物？

参考答案：

2.问答题简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺

参考答案：高能量、低电流的离子注入；加热退火/扩散工艺；自对准双阱工艺。

3.问答题简述集成电路制造中的四种隔离技术

参考答案：整面全*区覆盖氧化层、局部硅氧化（LOCOS）、浅槽隔离（STI）、P型掺杂结也可以用于形成相邻晶体管的电气隔离。

4.问答题简述CMP技术的优点

参考答案：优点：
（1）CMP可以将晶圆表面平坦化，可以允许高解析度的光刻技术。被平坦化的表面可以消除侧壁变薄引起金属导...

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5.问答题简述钽在铜互连工艺中的作用

参考答案：①钽作为铜淀积前的阻挡层，可以防止铜扩散穿过氧化硅进入硅衬底损坏元器件。
②钽与钛、氮化钛阻挡层材料相比，是一...

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6.问答题简述双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程

参考答案：挑战：
①高深宽比的金属层间接触孔需要点击一层铜阻挡层以防止铜扩散，这个阻挡层需要良好的侧壁和底层阶梯覆盖、优...

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7.问答题什么叫“电迁移现象”，集成电路工艺中如何减小电迁移现象。

参考答案：铝金属是一种多晶态材料，包含了许多小的单晶态晶粒。当电流通过铝线时，电流会持续不断碰撞晶粒。一些较小的晶粒就开始移动，如...

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8.问答题什么叫“结尖刺效应”，集成电路工艺中如何避免铝的结尖刺效应？

参考答案：硅可以溶解在铝中。在源/漏区，铝金属会与硅直接接触，硅会溶入铝中，而铝会扩散进入硅内形成铝尖凸物。铝的尖凸物可以穿透掺杂...

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9.问答题90年代以前，哪些因素影响铜用于IC工艺

参考答案：器件尺寸；器件密度；化学机械研磨工艺；多重金属连线；
铝金属的电导率在金属中排第四，仅次于银、铜、金。铝是这四...

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10.问答题半导体工艺中电介质薄膜的应用

参考答案：

（1）作为钝化保护层
（2）ILD0的掺杂物阻挡层
（3）紫外线可以穿透的保护层
（4）作为ILD材料