半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.09.19)

问答题
根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
答案：根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式，接近式，投影式。接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂...
问答题
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
答案：（1）反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运；
（2）这些气体反应生成系列次生分子；
（3）这些反应物输...
问答题
射频放电与直流放电相比有何优点？
答案：直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电...
问答题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...
问答题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它...
问答题
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
答案：
问答题
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
答案：在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...
问答题
在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
答案：1）铜在SiO₂中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO₂的漏电流；增加结...
问答题
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×10
问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO₂的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO₂