微电子学章节练习(2018.12.13)

来源：考试资料网

1.填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

参考答案：基区；增加；提高

2.问答题列举硅片的七种质量要求。

参考答案：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗粒；体电阻率

3.填空题硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

参考答案：金刚石晶格

4.问答题解释APCVD，使用APCVD SiO₂的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？

参考答案：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源。

5.问答题什么是无源元件，举出两个无源元件的例子。

无源器件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。
例子：电阻，电容。

6.问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？

参考答案：干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。

7.填空题所谓（），是指幅度随时间连续变化的信号。

8.问答题解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？

参考答案：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1

9.名词解释MASK

参考答案：掩模版。在半导体制造中，许多芯片工艺步骤采用光刻技术，用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜（也称作...

10.问答题列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题。

参考答案：两种主要的光反射问题是反射切口和反射驻波，在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口，光刻中...