半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.05.02)

问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO₂的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO₂
问答题
写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个...
问答题
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
答案：沟道效应：对晶体靶进行离子注入，当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道...
问答题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...
问答题
简述硼和磷的退火特性。
答案：硼退火特性电激活比例：自由载流子数p和注入剂量Ns的比对于低剂量的情况，随退火温度上升，电激活比例增大。对于高剂量情况，...
问答题
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×10
问答题
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...
问答题
典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
答案：涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...
问答题
个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
答案：
分辨率：
焦深：

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半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.05.02)

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

简述硼和磷的退火特性。

在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。

从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。

典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。