微电子学章节练习(2019.12.11)

来源：考试资料网

1.问答题设计一个实验：先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。

2.问答题什么是电路模拟？其在IC设计中的作用。

参考答案：根据电路的拓扑结构和元件参数将电路问题转换成适当的数学方程并求解，根据计算结果检验电路设计的正确性。
版图设计...

3.问答题GaAs相对Si的优点和缺点是什么？

参考答案：优点：
A.比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信
...

4.问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。

参考答案：①表面准备：清洁和干燥晶圆表面
②涂光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶
③软烘培：加热，部分蒸发...

5.填空题（）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。

6.问答题列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。

参考答案：1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。
2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂...

7.问答题说明RCA清洗硅片的方法，SC-1和SC-2的配方特点

参考答案：SC-1去除有机残余物，金属
SC-2去除碱金属离子，氢氧根。
根据不同的应...

8.问答题简述离子注入机的各部分工作原理？

参考答案：离子注入机主要由离子源、分析磁体、加速聚焦器、扫描偏转系统、靶室及终端台和真空系统6大部分组成。
1）离子源的...

9.填空题小注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远小于该区的（）浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。

参考答案：非平衡少子；平衡多子；非平衡

10.填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。

参考答案：被电子占有的几率为1/2的能级；禁带中央；电子和空穴数相等；电子数多于空穴数；N；空穴数多于电子数；P