晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。