处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。