绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS管阈值电压的单位是eV。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

第一块集成电路发明于（）年。