对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）...

填空题对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。

1.填空题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

2.填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

3.填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

4.填空题淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

5.填空题目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。

6.填空题立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。

7.填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

8.填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

9.填空题选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

10.填空题用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。