CMP的设备构成包括（）。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

CE定律发展面临的问题包括（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

光刻工艺的特点包括（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）

常压的硅外延方法有（）。

注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。