①晶体内杂质浓度梯度； ②环境温度； ③杂质本身结构、性质； ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
①图形转移到光刻胶层 ②图形从光刻胶层转移到晶圆层
最新试题
芯片粘接的工艺过程包括（）。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。
光刻工艺的设备核心是（）。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
影响封装芯片特性的温度有（）。
