什么是光敏度，移相掩膜，驻波效应？

问答题什么是光敏度，移相掩膜，驻波效应？

1.问答题常见的光刻对准曝光设备有？

接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。

2.问答题常见的曝光光源？

紫外光源、深紫外光源。

3.问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？

4.问答题什么是负光刻胶？

负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成

5.问答题显影为何要进行检查？

区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底

6.问答题显影检查内容有哪些？

检查内容：掩膜版选用是否正确、光刻胶层得质量是否满足要求、图形的质量、套刻精度是否满足要求

7.问答题影响显影的主要因素？

曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况

8.问答题光刻工艺包括哪些工艺？

底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验

9.问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？

10.问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？