湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

常压的硅外延方法有（）。

硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

光刻工艺的特点包括（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。