A.VDD/2
B.阈值电压VT
C.VDD
D.VDD-VT
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A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快,静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快,静态功耗更低
A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路
A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容,滤除电压的波动
A.耦合电容更大
B.干扰信号摆幅大
C.受害信号线是低阻抗节点(被低的驱动电阻驱动)
D.干扰信号翻转速度快
A.1
B.2
C.3
D.0
A.集总电容模型
B.分布rc模型
C.集总RC模型
D.看作理想导线
A.电源
B.地
C.时钟
D.数据信号
A.绝缘层的厚度
B.导线的宽度
C.导线之间的线间距
D.金属层的厚度
A.应该充分降低VDD
B.能耗与VDD不是单调关系,存在一个最优的电源电压
C.过低的VDD会引起静态能耗增加
D.最优的VDD通常小于晶体管的阈值电压
A.栅氧化层隧穿电流
B.亚阈值漏电流
C.栅极感应漏端漏电GIDL
D.pn结反偏漏电流(BTBT)
最新试题
载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。
下面不属于QFP封装改进品质的是()。
去毛飞边工艺指的是将芯片多余部分进行有效的切除。
使用3D封装技术可以实现40~50倍的成品尺寸和重量的减少。
引线键合的参数主要包括()。
因为QFP封装的可靠性高,且其封装外形尺寸较小,寄生参数减小,故多用于高频电路、音频电路、微处理器、电源电路。
键合常用的劈刀形状,下列说法正确的是()。
下列属于BGAA形式的是()。
凸点的制作技术有()。
下面关于PBGA器件的优缺点,说法错误的是()。