半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.11.17)

问答题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...
问答题
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
答案：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高...
问答题
简述几种典型真空泵的工作原理。
答案：几种典型的真空泵结构：①活塞式机械泵；②旋片式机械泵；③增压器——罗茨泵；④油扩散泵；⑤涡轮分子...
问答题
简述几种常用的氧化方法及其特点。
答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好...
问答题
简述硼和磷的退火特性。
答案：硼退火特性电激活比例：自由载流子数p和注入剂量Ns的比对于低剂量的情况，随退火温度上升，电激活比例增大。对于高剂量情况，...
问答题
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
答案：在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...
问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...
问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm^-2
问答题
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
答案：二氧化硅腐蚀最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO₂湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是...
问答题
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
答案：SiCL₄浓度较小，SiCL₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原...