半导体材料章节练习(2019.04.23)

来源：考试资料网

1.问答题对净化间做一般性描述。

参考答案：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放（ESD.的玷污。一般来讲，那意味着这些玷污在...

2.问答题例举双大马士革金属化过程的10个步骤。

参考答案：（1）SiO₂淀积：用PECVD淀积内层氧化硅到希望的厚度。
（2）SiN刻蚀阻挡层淀积...

3.问答题缺陷显示的意义？

参考答案：显示漩涡缺陷，检测体层错，位错，晶体原有的滑移，掺杂剂或杂志浓度周期性变化形成的电阻率条纹等。

4.问答题根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？

正光刻胶和负光刻胶；负光刻胶。

5.名词解释敏化剂

用以提高混合炸药起爆感度的物质。

6.问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二，在后续工艺中，保护下面的材料

7.名词解释输出电导

集电极电流对C-E两端电压的微分之比。

8.名词解释短路电流

参考答案：太阳能电池两端直接相连时的电流。

9.问答题测试非平衡少数载流子数目的方法？

参考答案：（1）瞬态法，也称稳态法，这类方法有光电导衰退法
（2）稳态法，也称间接法，这类方法主要有扩散长度法和光磁法.

10.填空题一般X射线大致具有的性质（），荧光作用，电离作用，穿透能力强，X射线的折射率近似等于1，衍射作用。