集成电路技术章节练习(2019.05.09)

来源：考试资料网

1.判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

2.填空题从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。

参考答案：100；110；111

3.问答题光刻工艺分为哪些步骤？

1、底膜处理
2、涂胶
3、前烘
4、曝光
5、显影
6、坚膜
7、刻蚀去胶

4.名词解释间隙式扩散

参考答案：间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。

5.判断题大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。

6.问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率

7.问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？

它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了

8.问答题什么是共价键结构？

参考答案：最外层的价电子不仅受到自身原子核的作用，还要受到相邻原子核的作用，这样每个价电子就不局限于单个原子，可以转移到相邻的原子...

9.问答题哪种BiCMOS工艺用的较多？为什么？

双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的多
影响BiCMOS器件性能的主要部分是双极部分。

10.问答题基本的芯片测试台由哪几部分组成？

载片部分、接触和调整部分、显微镜部分、控制部分