半导体芯片制造工章节练习(2019.06.25)

来源：考试资料网

1.问答题简述几种常用的氧化方法及其特点。

参考答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好...

2.问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

参考答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...

3.问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。

4.填空题工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

参考答案：真实；完整；数据准确

5.问答题以P₂O₅为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

参考答案：在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...

6.判断题抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

7 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。

8.问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

参考答案：①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级，每次碰撞之后，注入离子都可能发生大角...

9 溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

10 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）