半导体芯片制造工章节练习(2020.02.02)

来源：考试资料网

1.填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

参考答案：化学气相；液相；分子束

2.问答题例举淀积的5种主要技术。

3 下列材料属于N型半导体是（）。

4.问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。

5.问答题什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。

参考答案：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。这些元件无论如何和电源相连，都可以传输电流。如电阻，电容...

6.判断题光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）

7 单相3线插座接线有严格规定（）

8 半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。

9.问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料

10.问答题集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...