半导体芯片制造工章节练习(2020.02.02)

来源：考试资料网

1.判断题光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

2.填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.

参考答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合

3 下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）

4 Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.

5.填空题白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。

6.问答题集成电容主要有哪几种结构？

①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；
③金属叉指结构；
④PN结电容；
⑤MOS电容。

7.问答题解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

参考答案：正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在...

8.问答题 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

参考答案：（1）反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运；
（2）这些气体反应生成系列次生分子；
（3）这些反应物输...

9.问答题例出并描述4种真空范围。

参考答案：四种真空范围：
（1）低级真空：气流主要是由分子间碰撞产生的（也称滞留），压强高得足以机械型压力测量仪测量。

10.问答题什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么是必需的？