微电子学章节练习(2019.11.15)
来源：考试资料网
参考答案：A.倒装芯片
B.球栅阵列（BGA）
C.板上芯片（COB）
D.卷带式自动键合（TAB）... 参考答案：优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无... 参考答案：首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口，
然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W，
最后进行干法等... 参考答案：反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对值。这是因为基区宽变效应导致β随Vce增大而增大，Ic随... 参考答案：1.更高的工艺温度（250-450℃）；
2.对高的深宽比间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；
... 参考答案：浸入式光刻、纳米压印光刻、极紫外光刻（EUV）和无掩模(ML2)一起成为后光刻技术时代的候选技术。 参考答案：用电路分别实现二输入与非门：两个N管为串联，两个P管为并联；假设电路开关特性要求对称，即：上升时间Tr等于下降时间Tf，...