实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。