金属化中可选用的金属材料有（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

影响封装芯片特性的温度有（）。

光刻工艺的特点包括（）。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

掺杂后退火时间一般在（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪几个？（）

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

掺杂后，退火的目的是（）。