①晶体内杂质浓度梯度; ②环境温度; ③杂质本身结构、性质; ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
最新试题
金属化中可选用的金属材料有()。
影响封装芯片特性的温度有()。
多层陶瓷基板多层化的方法包括()。
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
进行光刻工艺前的清洗步骤是()。
光刻工艺的特点包括()。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()
常压的硅外延方法有()。
互连工艺中AL的制备可选用()。