①晶体内杂质浓度梯度; ②环境温度; ③杂质本身结构、性质; ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
最新试题
掺杂后,退火的目的是()。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
光刻工艺对准误差包括()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
光刻工艺的设备核心是()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
新的平坦化方法有哪几个?()