IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

影响封装芯片特性的温度有（）。

硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

CMP的设备构成包括（）。

掺杂后，退火的目的是（）。

掺杂后退火时间一般在（）。