栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。