第一块集成电路发明于（）年。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。