为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍

1.问答题硅栅工艺有哪些优点？

自对准无需重叠设计减小了电容提高了速度减小了栅、源、漏极尺寸增加集成度；增加电路可靠性

2.问答题什么是自对准技术？

将两次MASK步骤合为一次，让D，S和G三个区域一次成形

3.问答题铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

CGS、CGD都增大了；栅极增长，管子尺寸变大，集成度降低。

4.问答题铝栅MOS工艺的缺点是什么？

制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐

5.问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸

6.问答题与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？

（1）跨导相对低；
（2）阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；
（3）驱动电流小；
（4）阈值电压变化大。

7.问答题HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？

HEMT有源层中，没有施主与电子的碰撞毫米波电路和光纤通信的超高速电路

8.问答题由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？

9.问答题什么是赝晶或赝配HEMT？

因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象

10.问答题什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

栅长小于0.3um