硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？

问答题硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？

工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染

1.问答题硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？

清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干

2.问答题硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？

被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型

3.问答题与Al布线相比，Cu布线有何优点？

铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。

4.问答题什么是低K材料？

低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料

5.问答题简述硅单晶研磨清洗的重要性。

6.问答题切片可决定晶片的哪四个参数？

切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。

7.问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？

包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。

8.问答题小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？

小尺寸MOS器件中的二级效应包括：短沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。

9.问答题连线寄生效应对集成电路性能的影响。

10.问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？