MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。