半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS管阈值电压的单位是eV。