掺氯氧化使用的HCL是（）。

单项选择题掺氯氧化使用的HCL是（）。

A.液态源
B.固态源
C.气态源

1.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有（）个氧原子。

A.1
B.2
C.3
D.4

2.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体？（）

A.SiH₄
B.O₂
C.N₂O
D.Ar

3.单项选择题CMP清洗部分的顺序是（）。

A.兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆声清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆声清洗（Meg）

4.单项选择题高电流注入机的扫描方式为（）。

A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合

5.单项选择题下列选项属于BF₃的特性的是（）

A.黄色标识，有白烟
B.红色标识，臭大蒜味道
C.黑色标识，无色大蒜味

6.单项选择题离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于（）。

A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω

7.判断题Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。

8.判断题扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

9.判断题LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。

10.判断题氮化硅去除使用的是磷酸药液。