单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下()方式。
A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离
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1.单项选择题WCVD工艺第一步是()。
A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应
2.单项选择题Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是()。
A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨
3.单项选择题掺氯氧化使用的HCL是()。
A.液态源
B.固态源
C.气态源
4.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有()个氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
5.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体?()
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
6.单项选择题CMP清洗部分的顺序是()。
A.兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)-Brush(刷洗)
B.兆声清洗(Meg)-Brush(刷洗)-SRD(甩干)
C.Brush(刷洗)-兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)
D.Brush(刷洗)-SRD(甩干)-兆声清洗(Meg)
7.单项选择题高电流注入机的扫描方式为()。
A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合
8.单项选择题下列选项属于BF3的特性的是()
A.黄色标识,有白烟
B.红色标识,臭大蒜味道
C.黑色标识,无色大蒜味
9.单项选择题离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于()。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
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下面不属于QFP封装改进品质的是()。
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按照芯片组装方式的不同,关于SiP的分类,说法错误的是()。
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凸点的制作技术有()。
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载带自动焊使用的凸点形状一般有蘑菇凸点和柱凸点两种。
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去飞边毛刺工艺主要有介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺、水去飞边毛刺。
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因为QFP封装的可靠性高,且其封装外形尺寸较小,寄生参数减小,故多用于高频电路、音频电路、微处理器、电源电路。
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制造和封装工艺过程中的材料性能是决定材料应用的关键,制造性能主要包括()。
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下面关于PBGA器件的优缺点,说法错误的是()。
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下面选项中硅片减薄技术正确的是()。
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