干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

什么是结深？

例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？

给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？

解释离子束扩展和空间电荷中和。

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。