单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶?()
A.等离子去胶
B.溶剂去胶
C.氧化去胶
D.三氯乙烯去胶
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1.单项选择题
下图属于什么光刻机?()
A.接触式光刻机
B.步进扫描光刻机
C.分布重复光刻机
D.接近式光刻机
2.单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下()方式。
A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离
3.单项选择题WCVD工艺第一步是()。
A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应
4.单项选择题Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是()。
A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨
5.单项选择题掺氯氧化使用的HCL是()。
A.液态源
B.固态源
C.气态源
6.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有()个氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
7.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体?()
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
8.单项选择题CMP清洗部分的顺序是()。
A.兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)-Brush(刷洗)
B.兆声清洗(Meg)-Brush(刷洗)-SRD(甩干)
C.Brush(刷洗)-兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)
D.Brush(刷洗)-SRD(甩干)-兆声清洗(Meg)
9.单项选择题高电流注入机的扫描方式为()。
A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合
10.单项选择题下列选项属于BF3的特性的是()
A.黄色标识,有白烟
B.红色标识,臭大蒜味道
C.黑色标识,无色大蒜味
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以下不属于打码目的的是()。
题型:单项选择题
按照芯片组装方式的不同,关于SiP的分类,说法错误的是()。
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下面选项中硅片减薄技术正确的是()。
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下面关于PBGA器件的优缺点,说法错误的是()。
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收缩型四边扁平封装的引脚中心距离比普通的四边扁平要大,所以在封装体的边缘可以容纳更多的引脚个数。
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凸点的制作技术有()。
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关于电子封装基片的性质,说法错误的是()。
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键合点根部容易发生微裂纹,原因可能是键合操作中机械疲劳,也可能是温度循环导致热应力疲劳。
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制造和封装工艺过程中的材料性能是决定材料应用的关键,制造性能主要包括()。
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