单项选择题下面哪种方式也称为湿法去胶？（）
A.等离子去胶
B.溶剂去胶
C.氧化去胶
D.三氯乙烯去胶
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1.单项选择题
下图属于什么光刻机？（）
A.接触式光刻机
B.步进扫描光刻机
C.分布重复光刻机
D.接近式光刻机
2.单项选择题对于0.25um及以下的隔离技术采用以下（）方式。
A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离
3.单项选择题WCVD工艺第一步是（）。
A.浸润
B.成核
C.BULK
D.直接反应
4.单项选择题Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是（）。
A.金属Al
B.金属钛
C.金属氮化钛
D.金属钨
5.单项选择题掺氯氧化使用的HCL是（）。
A.液态源
B.固态源
C.气态源
6.单项选择题二氧化硅中每个硅原子周围有（）个氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
7.单项选择题以下哪项不是STI工艺气体？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
8.单项选择题CMP清洗部分的顺序是（）。
A.兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆声清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆声清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆声清洗（Meg）
9.单项选择题高电流注入机的扫描方式为（）。
A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合
10.单项选择题下列选项属于BF3的特性的是（）
A.黄色标识，有白烟
B.红色标识，臭大蒜味道
C.黑色标识，无色大蒜味
最新试题
键合点根部容易发生微裂纹，原因可能是键合操作中机械疲劳，也可能是温度循环导致热应力疲劳。
题型：判断题
下面选项中硅片减薄技术正确的是（）。
题型：单项选择题
QFP的结构形式因带有引线框（L/F），对设定的电性能无法调整，而BGA可以通过芯片片基结构的变更，得到所需的电性能。
题型：判断题
键合工艺失效，焊盘产生弹坑的原因有（）。
题型：多项选择题
引线键合的参数主要包括（）。
题型：多项选择题
为了获得好的性能，塑封料的电学性必须得到控制。
题型：判断题
下面关于BGA的特点，说法错误的是（）。
题型：单项选择题
倒装芯片的连接方式有（）。
题型：多项选择题
通常芯片上的引出端焊盘是排列在管芯片附近的方形（）。
题型：单项选择题
因为QFP封装的可靠性高，且其封装外形尺寸较小，寄生参数减小，故多用于高频电路、音频电路、微处理器、电源电路。
题型：判断题