①材料准备 ②晶体生长与晶圆准备 ③芯片制造 ④封装
最新试题
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
光刻工艺的设备核心是()。
常压的硅外延方法有()。
目前制备SOI材料的主流技术有几种?()
CE定律发展面临的问题包括()。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()