集成电路工艺原理章节练习(2018.09.20)

来源：考试资料网

1.填空题晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。

参考答案：wafer；硅；锗

2.名词解释分辨率R

是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。

3.判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。

4.填空题晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。

参考答案：去掉两端；径向研磨；硅片定位边和定位槽

5.问答题简述两步扩散的含义与目的？

参考答案：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下...

6.填空题用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。

参考答案：半导体级硅；GSG；电子级硅

7.填空题在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

参考答案：铝；铝；铜

8.填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶

9.问答题简述MCM的BGA封装？

参考答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。

10.问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

参考答案：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表...