集成电路技术章节练习(2019.03.02)

来源：考试资料网
1.问答题如何降低沟道效应？
参考答案：减少沟道效应的措施：
（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离7－10o；
（2）用Si，Ge，F...
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2.填空题制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
参考答案：制备工业硅；生长硅单晶；提纯
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3.填空题集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
参考答案：热扩散；离子注入
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4.问答题集成电路封装工艺流程有哪些？
参考答案：

划片、分类、管芯键合、引线压焊、密封、管壳焊接、塑封、测试

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5.问答题用什么参数衡量MOS器件的增益？
参考答案：

用gm衡量MOS器件的增益

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6.问答题SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI的中文含义是什么？英文全拼是什么？
参考答案：SSI（small-scaleintegration）小规模集成电路；
MSI（Middle-scaleint...
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7.名词解释LOCOS
参考答案：

局部氧化工艺。

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8.问答题集成电路版图包含了哪些信息数据？
参考答案：

包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息

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9.填空题晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
参考答案：单晶生长；切片；抛光
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10.问答题在集成电路芯片中，寄生效应会降低电路的哪些性能？
参考答案：

电路的噪声、速度、功耗

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