集成电路工艺原理章节练习(2019.04.19)

来源：考试资料网

1.问答题为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？

参考答案：距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区；对于器件的正常工作，界面处的电荷堆积是不受欢...

2.判断题当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。

3.名词解释光刻三要素

光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶。

4.名词解释湿氧氧化

氧气中携带一定量的水汽，Si在其中被氧化成SiO₂的过程。

5.判断题刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。

6.判断题各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

7.问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

参考答案：目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：
①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极...

8.名词解释有限表面源扩散

参考答案：扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化。这种类型的扩散称为有...

9.判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。

10.判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。