集成电路工艺原理章节练习(2019.04.30)

来源：考试资料网

1.填空题用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。

参考答案：工艺腔；硅片传输系统；温控系统

2.填空题溅射镀膜方法有（）、（）、（）、（）等。

参考答案：直流溅射；射频溅射；偏压溅射；磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）

3.判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

4.名词解释横向扩散

参考答案：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：假如杂质原子沿硅片表...

5.问答题与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？

参考答案：普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二是所需的工作气压较高，这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可...

6.名词解释有限表面源扩散

扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。

7.名词解释Fabless

IC设计公司，只设计不生产。

8.判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

9.填空题集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

参考答案：热扩散；离子注入

10.判断题步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。