集成电路技术章节练习(2019.05.10)

来源：考试资料网

1.问答题MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？

参考答案：减小L和tox提高MOSFET的电流控制能力，减小W将减小输出功率和电流控制能力，同时减小Ltox和W将保持Ids不变和...

2.名词解释核阻止机制

来自原子核之间的碰撞，属于原子核之间的弹性碰撞。总能量损失为两者的和。

3.问答题相对于五管与非门六管与非门的结构在哪些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？

参考答案：六管单元用有源泄放回路RB-RC-Q6代替了R3；
由于RB的存在，使Q6比Q5晚导通，所以Q2发射基的电流全...

4.问答题一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？

夹断、线性、饱和

5.名词解释平均投影射程Rp

所有入射离子的投影射程的平均值。

6.名词解释微电子

微型电子电路。

7.填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

参考答案：光刻区；注入区；薄膜区

8.问答题简述BGA的安装互联技术？

参考答案：安装前需检查BGA焊球的共面性以及有无脱落，BGA在PWB上的安装与目前的SMT工艺设备和工艺基本兼容。
先将...

9.判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

10.问答题MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？

参考答案：热噪声、闪烁噪声；
热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成，闪烁噪声由沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电...