集成电路技术章节练习(2020.04.05)

来源：考试资料网

1.问答题怎样才能使电路正常工作？

时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。

2.问答题简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

参考答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.关于ECMP（电化学机械...

3.问答题 在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M₄的漏电流。

4.问答题采用版图匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能，但会带来哪些不利因素？

增加芯片面积、布线比较困难、连线的寄生效应限制匹配精度

5.问答题MOS器件存在哪些二阶效应？

参考答案：二阶效应包括：短沟道效应，窄沟道效应，迁移率退化，沟道长度调制效应，静电反馈效应等。

6.填空题集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

参考答案：小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路ULSI

7.问答题双极型晶体管的GP模型是由谁于哪一年提出的？

1970年H.K.Gummel和H.C.Poon提出的。

8.判断题电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。

9.判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。

10.判断题用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。