双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

第一块集成电路发明于（）年。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。