①晶体内杂质浓度梯度； ②环境温度； ③杂质本身结构、性质； ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
最新试题
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）
刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
新的平坦化方法有哪几个？（）
互连工艺中AL的制备可选用（）。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
金属化中可选用的金属材料有（）。
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
消除鸟嘴效应的方法有（）。
